Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD6820NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 90V 10A/50A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD6820
NVD6820NLT4G-VF01 Hakkında
NVD6820NLT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 90V drain-source gerilimi ve 10A sürekli (Ta) / 50A (Tc) drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 16.7mΩ @ 20A, 10V RDS(on) değeri ile düşük kayıp anahtarlamayı sağlar. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4209 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok