Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD6820NLT4G

MOSFET N-CH 90V 10A/50A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD6820

NVD6820NLT4G Hakkında

NVD6820NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 90V Drain-Source gerilimi ve 50A (Tc) sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 16.7mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Motor kontrolü, güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve enerji yönetimi uygulamalarında yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Maksimum 100W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 90 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4209 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 4W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok