Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD6495NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD6495
NVD6495NLT4G-VF01 Hakkında
NVD6495NLT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 83W güç yayılımı kapasitesine sahip bu transistör, motor sürücüleri, güç kaynakları, LED kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V gate gerilimi ve düşük kapı yükü (35nC) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1024 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok