Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD6416ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD6416A
NVD6416ANLT4G Hakkında
NVD6416ANLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 19A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 74mOhm maksimum on-state direnci, hızlı anahtarlama özellikleri ve geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışır. Surface mount DPAK-3 paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, güç yönetimi devreleri ve benzer uygulamalarda tercih edilir. 71W maksimum güç dissipasyon kapasitesi sayesinde yüksek akım işleme gereksinimlerinde kullanılabilir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok