Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD6416ANLT4G-001-VF01
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD6416A
NVD6416ANLT4G-001-VF01 Hakkında
NVD6416ANLT4G-001-VF01, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 19A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V - 10V drive voltajında çalışır ve maksimum 74mOhm on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında kullanılabilen bu MOSFET, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücü uygulamaları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 40nC gate charge ve düşük on-resistance değerleri, enerji verimli devre tasarımlarına olanak tanır. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok