Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD6416ANLT4G-001
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD6416A
NVD6416ANLT4G-001 Hakkında
NVD6416ANLT4G-001, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun surface mount montajı destekler. 74mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, şarj cihazları ve endüstriyel anahtar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum ±20V gate-source gerilimi toleransı ile standart sürücü devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok