Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD6416ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD6416A
NVD6416ANLT4G Hakkında
NVD6416ANLT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajında 19A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, DPAK (TO-252-3) yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 74mOhm maximum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı ve verimli çalışma özellikleri taşır. 71W maximum güç disipasyonuna sahip bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama devresi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. ±20V gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığı sağlar. Dikkat: Bu ürün artık üretilmeyen (obsolete) bir parçadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok