Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD6415ANT4G

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD6415A

NVD6415ANT4G Hakkında

NVD6415ANT4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 23A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 55mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışır ve 29nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve ağır yüklü inverter devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 83W güç saçabilme kapasitesi vardır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok