Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD6415ANLT4G
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD6415A
NVD6415ANLT4G Hakkında
NVD6415ANLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 23A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 52mΩ on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Gate charge 20nC ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 83W güç tüketebilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1024 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok