Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD6414ANT4G

MOSFET N-CH 100V 34A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD6414A

NVD6414ANT4G Hakkında

NVD6414ANT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 32A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. 37mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek akımı gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur. 100W maksimum güç dissipasyonu ile hızlı anahtarlama işlemlerine olanak sağlar. Gate charge değeri (40nC@10V) düşük sürücü gücü gerektirir ve PWM kontrol uygulamalarında verimli çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok