Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5C688NLT4G
MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5C688
NVD5C688NLT4G Hakkında
NVD5C688NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 27.4mΩ on-state direnci, 3.4nC gate charge ve 400pF input kapasitansi özellikleri sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 18W maksimum güç tüketimi kapasitesi ile orta güç düzeyindeki uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 18W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.4mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok