Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD5C668NLT4G

MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD5C668

NVD5C668NLT4G Hakkında

NVD5C668NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 49A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8.9mΩ (10V, 25A koşullarında) çok düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kayıplarını minimize eder. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 44W güç dağılımına dayanabilen bu transistör, düşük gate charge (8.7nC @ 4.5V) ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok