Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5C648NLT4G
MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5C648N
NVD5C648NLT4G Hakkında
NVD5C648NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 25°C'de 18A, uygun soğutma ile 89A'a kadar drain akımı sağlayabilir. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, 4.1mΩ @ 10V gate geriliminde düşük on-state direnç (RDS On) sunarak enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC/DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanıma uygundur. Gate charge 39nC ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 89A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok