Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5C632NLT4G
MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5C632N
NVD5C632NLT4G Hakkında
NVD5C632NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilim kapasitesine ve 29A sürekli drenaj akımına sahip olan bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, düşük 2.5mOhm RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 175°C) çalışabilen bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 4.5V ve 10V sürüş gerilimleri ile uyumlu olup, 78nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 155A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok