Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5C464NT4G
MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5C464N
NVD5C464NT4G Hakkında
NVD5C464NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 16A sürekli akım (Ta=25°C) ve 59A akım (Tc=25°C) kapasitesine sahiptir. 5.8mOhm (Max) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama ve doğrultma işlemlerinde kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 3W (Ta) ve 40W (Tc) güç dağıtım kapasitesine sahiptir. ±20V gate gerilimi ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 59A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok