Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD5C460NLT4G

MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD5C460N

NVD5C460NLT4G Hakkında

NVD5C460NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı (Ta@25°C) ile çalışan bu bileşen, DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 4.6mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) işletilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 2.2V threshold gerilimi ile yüksek hız anahtarlamaya uygun bir tasarıma sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 73A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 60µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok