Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5890NT4G
MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5890NT
NVD5890NT4G Hakkında
NVD5890NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış olup, 25°C'de 24A ve Tab bağlantısında 123A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paketlemede sunulan bu bileşen, düşük 3.7mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında etkili enerji yönetimi sağlar. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen ve 107W güç dağıtım kapasitesine sahip olan NVD5890NT4G, motor kontrolü, güç kaynakları, LED sürücüleri ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 123A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok