Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5890NLT4G-VF01
NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5890
NVD5890NLT4G-VF01 Hakkında
NVD5890NLT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 40V Drain-Source gerilimi ve 123A continuous drain akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. Düşük RDS(on) değeri (3.7mΩ @ 50A, 10V) sayesinde güç kaybı minimize edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 107W güç dağıtımı kapasitesiyle güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve anahtarlama regülatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 123A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok