Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5890NLT4G
MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5890
NVD5890NLT4G Hakkında
NVD5890NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V dren-kaynak voltajı (Vdss) ile çalışabilen bu bileşen, 25°C'de 24A sürekli dren akımı sağlayabilir. Soğutma sekmesi ile 123A'ya kadar akım taşıyabilir. 3.7mΩ RDS(On) değeri ile düşük geçiş direnci sunarak enerji kaybını minimumda tutar. Gate yükü 42nC olarak tasarlanmış olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç amplifikatörleri, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve switching power supplies gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 123A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok