Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5867NLT4G-TB01
MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5867
NVD5867NLT4G-TB01 Hakkında
NVD5867NLT4G-TB01, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 6A (Ta) / 22A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. Rds On değeri 10V Vgs'de 39mOhm'dur. Gate Charge 10V'ta 15nC'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor sürücülerinde kullanılan genel amaçlı MOSFET'tir. ±20V maksimum Vgs ile ileri ve geri kapanma kontrolü sağlar. 3.3W (Ta) / 43W (Tc) güç saçma kapasitesi mevcuttur. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta), 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 675 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok