Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5865
NVD5865NLT4G Hakkında
NVD5865NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim desteği ile 10A sürekli drenaj akımı (Ta) veya 46A (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. 16mOhm maksimum on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında geniş kullanım alanı bulunmaktadır. Düşük gate charge (29nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama ve verimli işletme imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 19A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok