Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5863NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 60V 14.9A/82A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5863
NVD5863NLT4G-VF01 Hakkında
onsemi tarafından üretilen NVD5863NLT4G-VF01, 60V drain-source gerilim değerine sahip N-Channel MOSFET transistördür. Düşük RDS(on) değeri (7.1mΩ @ 41A, 10V) ile tasarlanan bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında verimli çalışmayı sağlar. 14.9A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 82A kapasitesi (Tc) ile güç yönetimi, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Surface mount DPAK paketine sahip olan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. ±20V gate gerilim aralığı ve 70nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.9A (Ta), 82A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 41A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok