Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5863NLT4G
MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5863
NVD5863NLT4G Hakkında
NVD5863NLT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 14.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 7.1mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 3.1W güç yayabilir. Gate charge değeri 70nC olup, 4.5V-10V sürücü geriliminde kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve SMPS devreleri gibi alanlarda tercih edilir. NOT: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.9A (Ta), 82A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3850 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 41A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok