Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5807NT4G-VF01
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5807NT4G
NVD5807NT4G-VF01 Hakkında
NVD5807NT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 23A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 31mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 603 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok