Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5807NT4G
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5807
NVD5807NT4G Hakkında
NVD5807NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ve 23A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-direnci (31mΩ @ 10V) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 603 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok