Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5806NT4G
MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5806
NVD5806NT4G Hakkında
NVD5806NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajı ve 33A sürekli drain akımı kapasitesiyle, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama görevlerini yerine getirir. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 19mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük konduktif kayıplar sağlar. 38nC gate charge özelliği hızlı anahtarlama performansı sunarken, geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C) endüstriyel uygulamalarda kullanılabilirliğini artırır. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve yüksek akımlı anahtar uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok