Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5805NT4G
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5805
NVD5805NT4G Hakkında
NVD5805NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 51A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPAK) paket tipi ile yüzey montajlı uygulamalara uygundur. 9.5mOhm düşük gate direnci ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. Güç kaynağı kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve ağır yük anahtarlaması gereken endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrolü mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1725 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok