Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5803NT4G
MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5803
NVD5803NT4G Hakkında
NVD5803NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajı ve 85A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5.7mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç dönüştürücülerde ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kapasitesi ile geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 10V gate voltajında 51nC gate charge değeri hızlı anahtarlamayı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 85A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok