Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5484NLT4G-VF01
MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5484
NVD5484NLT4G-VF01 Hakkında
NVD5484NLT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 54A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252 (DPAK) paketlemesi sayesinde PCB üzerine yüzey montajı yapılabilir. 17mOhm maksimum drain-source direnç (10V Vgs'de 25A'da) ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 3.9W/100W (Ta/Tc) güç dağılımı kapasitesi, motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, güç anahtarları ve switch-mode güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Gate charge karakteristiği ve Input Capacitance değerleri hızlı komütasyon ve verimli sürücü tasarımı için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.7A (Ta), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1410 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 3.9W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok