Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5413NT4G
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5413
NVD5413NT4G Hakkında
NVD5413NT4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paket tipinde surface mount olarak tasarlanmıştır. 26 mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği artırır. Gate charge 46 nC ve input capacitance 1725 pF özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. 68W maksimum güç dissipasyonu ile sınırlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1725 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok