Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5407NT4G
MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5407
NVD5407NT4G Hakkında
NVD5407NT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ile 7.6A (Ta) veya 38A (Tc) sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 5V ve 10V sürüş gerilimlerinde sırasıyla 26mOhm maksimum RDS(on) değeri ile çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, düşük gate charge (20nC @ 10V) ve kontrollü input capacitance (1000pF @ 32V) özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 2.9W (Ta) veya 75W (Tc) güç tüketim kapasitesi ile güç elektronik tasarımlarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Ta), 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 32 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok