Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD5117PLT4G
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD5117
NVD5117PLT4G Hakkında
NVD5117PLT4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzeye monte paketlemesinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 16mOhm maksimum on-direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. Gate charge özelliği hızlı anahtarlama sağlar. Bileşen şu anda üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta), 61A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 4.1W (Ta), 118W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok