Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD4856NT4G
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD4856NT
NVD4856NT4G Hakkında
NVD4856NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi ve 89A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması ve sürücü işlevleri için tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paket içinde sunulan bu bileşen, 4.7mΩ maksimum on-direnci ile verimli enerji dağıtımı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol sistemleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (27nC) sayesinde hızlı komütasyon gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.3A (Ta), 89A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2241 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.33W (Ta), 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok