Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD4815NT4G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A DPAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD4815
NVD4815NT4G Hakkında
NVD4815NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve sürekli drenaj akımı 6.9A (Ta) / 35A (Tc) özellikleri ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPAK) paketinde sunulan bu FET, 10V gate voltajında 15mOhm düşük on-direnci (Rds On) değerine sahiptir. Voltaj değerleri için -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, düşük güç dönüştürücü devreleri, motor kontrol ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaktadır. Onsemi'nin Metal Oxide MOSFET teknolojisiyle üretilmekte olup maksimum ±20V gate-source voltajında güvenli bir şekilde çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta), 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 770 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok