Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD4813NHT4G

MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD4813

NVD4813NHT4G Hakkında

NVD4813NHT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj sınırlaması ile 7.6A sürekli akım (Ta) veya 40A (Tc) kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ile geniş uygulamada esneklik sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Ta), 40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok