Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD4810NT4G-VF01

MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD4810NT4G

NVD4810NT4G-VF01 Hakkında

NVD4810NT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9A (Ta) / 54A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 10mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük konduktans kaybı sağlar. Surface mount DPAK-3 paketlemesinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertörlerde kullanılan genel amaçlı MOSFET'tir. 4.5V ve 10V gate sürüş gerilimleri ile çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta), 54A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok