Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD4810NT4G-TB01
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD4810NT4G
NVD4810NT4G-TB01 Hakkında
NVD4810NT4G-TB01, onsemi tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olarak çalışır. 30V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış bu transistör, 25°C'de 9A sürekli akım veya Tc'de 54A kapasitesi ile çalışabilir. 10mOhm maksimum RDS(on) direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. 21nC gate charge ve düşük input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 11.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok