Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD4810NT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD4810NT
NVD4810NT4G Hakkında
NVD4810NT4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajına ve 9A (Ta) / 54A (Tc) sürekli drenaj akımına sahiptir. TO-252-3 (DPak) yüzey monte pakajında sunulan bu bileşen, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü, şarj devresi ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 11nC gate charge ve düşük input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok