Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD4810NT4G
NVD4810 - SINGLE N-CHANNEL POWER
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD4810
NVD4810NT4G Hakkında
NVD4810NT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen Single N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilim ve 54A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10mΩ @ 30A, 10V) ile verimli güç iletimini sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi içinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışmaya uyygundur. Motor kontrolü, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 11nC gate charge ve 1350pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 54A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok