Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD4809NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD4809
NVD4809NT4G Hakkında
NVD4809NT4G, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 9.6A (Ta) / 58A (Tc) sürekli dren akımı özelliklerine sahiptir. 9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç uygulamalarında tercih edilir. Surface mount DPAK-3 (TO-252) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Güç uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılmaktadır. 25nC gate charge ve 1456pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 11.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1456 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok