Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD4808NT4G

MOSFET N-CH 30V 10A/63A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD4808NT4G

NVD4808NT4G Hakkında

NVD4808NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile tasarlanmış bu bileşen, 10A sürekli akım (Ta) veya 63A Tc koşullarında çalışabilir. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor sürücülerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 1.4W (Ta) veya 54.6W (Tc) güç tüketebilir. Gate charge değeri 13nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta), 63A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1538 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok