Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD4806NT4G-VF01

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD4806

NVD4806NT4G-VF01 Hakkında

NVD4806NT4G-VF01, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 79A (Tc) sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 6mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük kayıplar sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol, motor sürücü devreler, anahtarlamalı güç kaynakları ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2142 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 11.5V
Supplier Device Package DPAK-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok