Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD4806NT4G-VF01
NVD4806 - SINGLE N-CHANNEL POWER
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD4806
NVD4806NT4G-VF01 Hakkında
NVD4806NT4G-VF01, Rochester Electronics tarafından üretilen tek kanallı N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi (Vdss) ile tasarlanan bu komponent, 79A kadar sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 6mΩ maksimum On-direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan NVD4806, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Ta), 79A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 11.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2142 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 11.5V |
| Supplier Device Package | DPAK-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok