Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVD4806NT4G

MOSFET N-CH 30V 76A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NVD4806

NVD4806NT4G Hakkında

NVD4806NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 76A maksimum drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 6mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp sağlar. DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar. Gate charge değeri 23nC ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 11.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2142 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok