Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD360N65S3T4G
SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD360N65S3T4G
NVD360N65S3T4G Hakkında
NVD360N65S3T4G, onsemi tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 10A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 360mΩ maximum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 16.8nC ve input capacitance 756pF olarak tasarlanmıştır. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 756 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok