Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD3055L170T4G-VF01
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD3055L170T4G
NVD3055L170T4G-VF01 Hakkında
NVD3055L170T4G-VF01, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5V gate sürücü geriliminde 170mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. DPAK (TO-252) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, AC/DC dönüştürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 4.5A, 5V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok