Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD3055L170T4G
N-CHANNEL POWER LOGIC LEVEL MOSF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD3055L170T4G
NVD3055L170T4G Hakkında
NVD3055L170T4G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power Logic Level MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 9A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 5V drive voltajında 170mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol, motor sürücüler, güç yönetimi ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 4.5A, 5V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok