Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD2955T4G
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD2955
NVD2955T4G Hakkında
NVD2955T4G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, DPAK (TO-252-3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 180mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 55W maksimum güç tüketimine dayanıklıdır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC konverterler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Gate-source gerilimi maksimum ±20V, kapı yükü 30nC@10V karakteristikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 55W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok