Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVD20N03L27T4G
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVD20N03L27T4G
NVD20N03L27T4G Hakkında
NVD20N03L27T4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 5V gate geriliminde 27mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC konverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama hızı ve düşük kapasitans değerleri sayesinde verimli ve kompakt tasarımlar mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.75W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 10A, 5V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok