Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVC3S5A51PLZT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NVC3S5A51

NVC3S5A51PLZT1G Hakkında

NVC3S5A51PLZT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 250mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimlı anahtarlama sağlar. TO-236-3 (SOT-23-3) kasa tipinde surface mount uygulaması için uygundur. Gücü kontrol eden devrelerde, anahtarlama uygulamalarında ve düşük sinyalli yükselteç devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Ürün günümüzde üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 262 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 3-CPH
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok